MWI150-12T8T
IGBT MODULE 1200V 215A 690W E3
Номер компонента:
MWI150-12T8T
Производитель:
Littelfuse / IXYS RF
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > IGBTs > IGBT Modules >
Описание:
IGBT MODULE 1200V 215A 690W E3
РОХС:
YES
MWI150-12T8T Спецификация
Тип монтажа:
Chassis Mount
Рабочая Температура:
-40°C ~ 125°C (TJ)
Тип БТИЗ:
Trench
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.):
1200 V
Вход:
Standard
НТЦ-термистор:
Yes
Конфигурация:
Three Phase Inverter
Пакет/кейс:
E3
Пакет устройств поставщика:
E3
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:
2.1V @ 15V, 150A
Мощность - Макс.:
690 W
Ток-Коллектор (Ic) (Макс):
215 A
Ток-отсечка коллектора (макс.):
6 mA
Входная емкость (Cies) при Vce:
10.77 nF @ 25 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.