STP23NM60ND
MOSFET N-CH 600V 19.5A TO220AB
Номер компонента:
STP23NM60ND
Альтернативная модель:
STF23NM60ND  ,  IPW60R099C6FKSA1
Производитель:
STMicroelectronics
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 600V 19.5A TO220AB
РОХС:
YES
STP23NM60ND Спецификация
Тип монтажа:
Through Hole
Рабочая Температура:
150°C (TJ)
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Пакет/кейс:
TO-220-3
Vgs(th) (Макс) @ Id:
5V @ 250µA
Рассеиваемая мощность (макс.):
150W (Tc)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
600 V
ВГС (Макс):
±25V
Пакет устройств поставщика:
TO-220
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
69 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
2100 pF @ 50 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
180mOhm @ 10A, 10V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
19.5A (Tc)
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.