SIA813DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Номер компонента:
SIA813DJ-T1-GE3
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
РОХС:
YES
SIA813DJ-T1-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора:
P-Channel
Напряжение стока к источнику (Vdss):
20 V
ВГС (Макс):
±8V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
1V @ 250µA
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
1.8V, 4.5V
Особенность полевого транзистора:
Schottky Diode (Isolated)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
4.5A (Tc)
Пакет/кейс:
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Пакет устройств поставщика:
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Рассеиваемая мощность (макс.):
1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
13 nC @ 8 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
355 pF @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
94mOhm @ 2.8A, 4.5V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.