SIA426DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Номер компонента:
SIA426DJ-T1-GE3
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
РОХС:
YES
SIA426DJ-T1-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
20 V
ВГС (Макс):
±12V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
1.5V @ 250µA
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
2.5V, 10V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
4.5A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
27 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
1020 pF @ 10 V
Пакет/кейс:
PowerPAK® SC-70-6
Рассеиваемая мощность (макс.):
3.5W (Ta), 19W (Tc)
Пакет устройств поставщика:
PowerPAK® SC-70-6
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
23.6mOhm @ 9.9A, 10V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.