SI7738DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
Номер компонента:
SI7738DP-T1-GE3
Альтернативная модель:
VOM617A-4T  ,  SIR632DP-T1-RE3  ,  3BC-3-CA-F  ,  BSC360N15NS3GATMA1  ,  SI7852DP-T1-GE3  ,  SIR696DP-T1-GE3  ,  JANTX1N4942  ,  DLW21HN900SQ2L  ,  LT3748EMS#PBF  ,  SRV05-4HTG-D  ,  WP710A10QBC/D  ,  MMBT3904  ,  215
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 150V 30A PPAK SO-8
РОХС:
YES
SI7738DP-T1-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
ВГС (Макс):
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
53 nC @ 10 V
Напряжение стока к источнику (Vdss):
150 V
Пакет устройств поставщика:
PowerPAK® SO-8
Пакет/кейс:
PowerPAK® SO-8
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
30A (Tc)
Рассеиваемая мощность (макс.):
5.4W (Ta), 96W (Tc)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
2100 pF @ 75 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
38mOhm @ 7.7A, 10V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:5914
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
1.57
4710
6000
1.51
9060
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.