SI7164DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Номер компонента:
SI7164DP-T1-GE3
Альтернативная модель:
AOTL66518  ,  SN74LVC1G175DBVR  ,  LTC4231HMS-1#PBF  ,  DMN601VK-7  ,  VS-12CWQ10FN-M3  ,  MAX821TUS+T  ,  SSM6N813R  ,  LXHF  ,  LTC4211CMS#PBF  ,  LT8364EDE#PBF  ,  PDS760-13  ,  BSC093N15NS5ATMA1  ,  CSD19537Q3  ,  SI7308DN-T1-GE3  ,  SBRD10200  ,  TPS54526RSAR
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
РОХС:
YES
SI7164DP-T1-GE3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
60 V
ВГС (Макс):
±20V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
10V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4.5V @ 250µA
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
60A (Tc)
Пакет устройств поставщика:
PowerPAK® SO-8
Пакет/кейс:
PowerPAK® SO-8
Рассеиваемая мощность (макс.):
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
75 nC @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
6.25mOhm @ 10A, 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
2830 pF @ 30 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:6871
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
1.5
4500
6000
1.44
8640
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.