IRF7862TRPBF
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Номер компонента:
IRF7862TRPBF
Альтернативная модель:
SI4126DY-T1-GE3  ,  IRF8788TRPBF  ,  IRF7424TRPBF  ,  MP5087GG-Z  ,  IRF7831TRPBF  ,  IRF9310TRPBF  ,  IRF7855TRPBF  ,  NTR4101PT1G  ,  GP2S+  ,  ROB-09107  ,  1053121106  ,  IRF7316TRPBF  ,  NTS4001NT1G  ,  IRF540NSTRLPBF  ,  MMSD4148T1G  ,  IRS10752LTRPBF  ,  1EDI60N12AFXUMA1  ,  1ED44173N01BXTSA1  ,  IRS2011STRPBF  ,  6EDL04N02PRXUMA1  ,  IRS21271STRPBF  ,  IRS4427STRPBF  ,  2ED24427N01FXUMA1  ,  IRS2007STRPBF  ,  2EDL23N06PJXUMA1  ,  ROB-09107
Производитель:
IR (Infineon Technologies)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
РОХС:
YES
IRF7862TRPBF Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Пакет/кейс:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Пакет устройств поставщика:
8-SO
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
30 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
2.5W (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
3.7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
2.35V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
45 nC @ 4.5 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
21A (Ta)
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
4090 pF @ 15 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:17611
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
4000
0.54
2160
8000
0.52
4160
12000
0.48
5760
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.