APTM100H35FT3G
MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3
Номер компонента:
APTM100H35FT3G
Производитель:
Roving Networks (Microchip Technology)
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
Описание:
MOSFET 4N-CH 1000V 22A SP3
РОХС:
YES
APTM100H35FT3G Спецификация
Тип монтажа:
Chassis Mount
Рабочая Температура:
-40°C ~ 150°C (TJ)
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
5V @ 2.5mA
Пакет/кейс:
SP3
Пакет устройств поставщика:
SP3
Конфигурация:
4 N-Channel (Full Bridge)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
22A
Мощность - Макс.:
390W
Напряжение стока к источнику (Vdss):
1000V (1kV)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
420mOhm @ 11A, 10V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
186nC @ 10V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
5200pF @ 25V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:1600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.