NTLJS4114NT1G
MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
Номер компонента:
NTLJS4114NT1G
Альтернативная модель:
NSVBAS21HT1G  ,  NTLJS4114NTAG  ,  SZMM5Z6V2T1G  ,  NCV8705MTADJTCG  ,  FDMS3669S  ,  NRVTS560EMFST1G  ,  IP4220CZ6  ,  125  ,  LT8609SIV#PBF  ,  NLAS4157DFT2G  ,  SNUF6401MNT1G  ,  DTC124EM3T5G  ,  MAX14783EATA+T  ,  CM3440Z171R-10  ,  NCP705MTADJTCG  ,  NTTFS4C02NTAG
Производитель:
Sanyo Semiconductor/onsemi
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 30V 3.6A 6WDFN
РОХС:
YES
NTLJS4114NT1G Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Пакет/кейс:
6-WDFN Exposed Pad
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
30 V
ВГС (Макс):
±12V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
1V @ 250µA
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
1.8V, 4.5V
Рассеиваемая мощность (макс.):
700mW (Ta)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
13 nC @ 4.5 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
650 pF @ 15 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
3.6A (Ta)
Пакет устройств поставщика:
6-WDFN (2x2)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
35mOhm @ 2A, 4.5V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:7259
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
0.4
1200
6000
0.37
2220
9000
0.34
3060
30000
0.34
10200
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.