NTLJD3119CTBG
MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN
Номер компонента:
NTLJD3119CTBG
Альтернативная модель:
NPS4053GHZ  ,  BAT54-02V-HG3-08  ,  PH1-01-UA  ,  MT53E1G16D1FW-046 AAT:A  ,  BLM15PD800SN1D  ,  IAUT150N10S5N035ATMA1  ,  DMP6350S-7  ,  AS5F18G04SND-10LIN  ,  DMT3020LFDB-7  ,  HMC385LP4E  ,  TPS3851H18EDRBR  ,  5923030302F  ,  EXB-18V102JX  ,  04023J4R3BBSTR  ,  WP59BL/EGW
Производитель:
Sanyo Semiconductor/onsemi
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
Описание:
MOSFET N/P-CH 20V 2.6A 6WDFN
РОХС:
YES
NTLJD3119CTBG Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Пакет/кейс:
6-WDFN Exposed Pad
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация:
N and P-Channel
Особенность полевого транзистора:
Logic Level Gate
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
1V @ 250µA
Напряжение стока к источнику (Vdss):
20V
Мощность - Макс.:
710mW
Пакет устройств поставщика:
6-WDFN (2x2)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
65mOhm @ 3.8A, 4.5V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
2.6A, 2.3A
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
3.7nC @ 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
271pF @ 10V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:31706
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
0.34
1020
6000
0.33
1980
9000
0.3
2700
30000
0.3
9000
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.