FDC637BNZ
MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
Номер компонента:
FDC637BNZ
Альтернативная модель:
DMN1019UVT-7  ,  ZXM61P03FTA  ,  17-150184  ,  NDC7001C  ,  MT29F4G08ABADAWP:D  ,  MCP4561-502E/MS  ,  0702461404  ,  09474747103  ,  BZG03C82-M3-08  ,  FDC6420C  ,  STM32F207IGH6  ,  746X101103JP  ,  SI2366DS-T1-GE3  ,  STM32F103RCT6  ,  NSBC115EDXV6T1G
Производитель:
Sanyo Semiconductor/onsemi
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 20V 6.2A SUPERSOT6
РОХС:
YES
FDC637BNZ Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Пакет/кейс:
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Пакет устройств поставщика:
SuperSOT™-6
Рассеиваемая мощность (макс.):
1.6W (Ta)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
2.5V, 4.5V
Напряжение стока к источнику (Vdss):
20 V
ВГС (Макс):
±12V
Vgs(th) (Макс) @ Id:
1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
12 nC @ 4.5 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
6.2A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
24mOhm @ 6.2A, 4.5V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds:
895 pF @ 10 V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:22029
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
0.15
450
6000
0.15
900
9000
0.14
1260
30000
0.13
3900
75000
0.13
9750
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.