SI7850DP-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
Номер компонента:
SI7850DP-T1-E3
Альтернативная модель:
LM5116MHX/NOPB  ,  SI7850DP-T1-GE3  ,  CSD18540Q5B  ,  TPS62132RGTR  ,  LM3150MH/NOPB  ,  FDD86102LZ  ,  SI7850ADP-T1-GE3  ,  SI7456DP-T1-E3  ,  GSD2004S-E3-08  ,  SIJ462ADP-T1-GE3  ,  MMBD1403  ,  RB088BGE-40TL  ,  IN-S63AT5G  ,  LT3758AEMSE#PBF  ,  SMP100LC-270  ,  CDSOD323-T12LC
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
РОХС:
YES
SI7850DP-T1-E3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss):
60 V
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
4.5V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
3V @ 250µA
Рассеиваемая мощность (макс.):
1.8W (Ta)
Пакет устройств поставщика:
PowerPAK® SO-8
Пакет/кейс:
PowerPAK® SO-8
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
6.2A (Ta)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
27 nC @ 10 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
22mOhm @ 10.3A, 10V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:11369
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
0.96
2880
6000
0.91
5460
9000
0.89
8010
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.