SI7464DP-T1-E3
MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
Номер компонента:
SI7464DP-T1-E3
Альтернативная модель:
BSC22DN20NS3GATMA1  ,  BSC320N20NS3GATMA1  ,  SI2374DS-T1-GE3
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
РОХС:
YES
SI7464DP-T1-E3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
6V, 10V
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
18 nC @ 10 V
Напряжение стока к источнику (Vdss):
200 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
1.8W (Ta)
Пакет устройств поставщика:
PowerPAK® SO-8
Пакет/кейс:
PowerPAK® SO-8
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
1.8A (Ta)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
240mOhm @ 2.8A, 10V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:4600
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
0.9
2700
6000
0.87
5220
9000
0.84
7560
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.