SI7370DP-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
Номер компонента:
SI7370DP-T1-E3
Альтернативная модель:
SI7370DP-T1-GE3  ,  LT3845EFE#TRPBF  ,  ADP7183ACPZN-R7  ,  RJU002N06T106  ,  SI7850DP-T1-E3  ,  ACPL-M71T-500E  ,  SI7489DP-T1-E3  ,  87022-605TRLF  ,  LTC4365HDDB#TRMPBF  ,  CPI-137-83T  ,  MBRM120ET1G  ,  632723300011  ,  SI7469DP-T1-E3  ,  DLW43SH101XK2L  ,  SN74LVC1G126DRYR
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
Описание:
MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8
РОХС:
YES
SI7370DP-T1-E3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Тип полевого транзистора:
N-Channel
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены):
6V, 10V
Напряжение стока к источнику (Vdss):
60 V
ВГС (Макс):
±20V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
4V @ 250µA
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
11mOhm @ 12A, 10V
Пакет устройств поставщика:
PowerPAK® SO-8
Пакет/кейс:
PowerPAK® SO-8
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
57 nC @ 10 V
Рассеиваемая мощность (макс.):
1.9W (Ta)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
9.6A (Ta)
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:8597
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
1.17
3510
6000
1.12
6720
9000
1.09
9810
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.