SI3590DV-T1-E3
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Номер компонента:
SI3590DV-T1-E3
Альтернативная модель:
SI3590DV-T1-GE3  ,  SI3585CDV-T1-GE3  ,  SI3552DV-T1-E3  ,  R1240N001B-TR-FE  ,  SI2333DDS-T1-GE3  ,  LTC2107CUK#PBF  ,  FDC6333C  ,  SSF3714  ,  1091  ,  MCP6074T-E/SL  ,  BAS16LT3G  ,  MGSF1N02LT1G  ,  STM32F103C8T6  ,  1934218-1  ,  DMG6602SVT-7
Производитель:
Vishay / Siliconix
Категория:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > FET, MOSFET Arrays >
Описание:
MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
РОХС:
YES
SI3590DV-T1-E3 Спецификация
Тип монтажа:
Surface Mount
Пакет/кейс:
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Пакет устройств поставщика:
6-TSOP
Технологии:
MOSFET (Metal Oxide)
Конфигурация:
N and P-Channel
Особенность полевого транзистора:
Logic Level Gate
Напряжение стока к источнику (Vdss):
30V
Рабочая Температура:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(th) (Макс) @ Id:
1.5V @ 250µA
Мощность - Макс.:
830mW
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs:
4.5nC @ 4.5V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C:
2.5A, 1.7A
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs:
77mOhm @ 3A, 4.5V
Быстрый запрос
Стандартный срок поставки изготовителя:Будут определены позднее
Стандартное количество упаковки:15262
Количество
Стоимость единицы
Международные цены
3000
0.31
930
6000
0.29
1740
9000
0.26
2340
30000
0.26
7800
Теплый совет => пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Название компании:
ВведитеНазвание компании
Имя:
ВведитеИмя
Телефон:
ВведитеТелефон
Почтовый ящик:
ВведитеПочтовый ящик
Количество:
ВведитеКоличество
Описание:
ВведитеОписание
Код проверки:
Введите код проверки.