FDA18N50
MOSFET N-CH 500V 19A TO3PN
FDA18N50Спецификации
Тип монтажа：
Through Hole
Тип полевого транзистора：
N-Channel
Технологии：
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)：
10V
Рабочая Температура：
-55°C ~ 150°C (TJ)
ВГС (Макс)：
±30V
Vgs(th) (Макс) @ Id：
5V @ 250µA
Пакет/кейс：
TO-3P-3, SC-65-3
Напряжение стока к источнику (Vdss)：
500 V
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C：
19A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs：
60 nC @ 10 V
Пакет устройств поставщика：
TO-3PN
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds：
2860 pF @ 25 V
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs：
265mOhm @ 9.5A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)：
239W (Tc)
