MG12150W-XN2MM
IGBT MOD 1200V 200A 625W
MG12150W-XN2MMСпецификации
Тип монтажа:
Chassis Mount
Рабочая Температура:
-40°C ~ 125°C (TJ)
Пакет/кейс:
Module
Пакет устройств поставщика:
Module
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.):
1200 V
Вход:
Standard
НТЦ-термистор:
Yes
Тип БТИЗ:
Trench Field Stop
Конфигурация:
Three Phase Inverter
Ток-отсечка коллектора (макс.):
1 mA
Ток-Коллектор (Ic) (Макс):
200 A
Мощность - Макс.:
625 W
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic:
1.7V @ 15V, 150A (Typ)
Входная емкость (Cies) при Vce:
10.5 nF @ 25 V