RRH100P03GZETB
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
부품 번호：
RRH100P03GZETB
대체 모델：
RRH090P03GZETB , IPD380P06NMATMA1 , SI4425BDY-T1-E3 , 88E1510-A0-NNB2C000 , TLV7163318PDPQR , AXK6S20447M3 , BLA31BD221SN4D , DS92LV2411SQE/NOPB , SN65LV1023ADBR , BM09B-SRSS-TBT , G2RL-1A-E DC5 , NANOSMDC050F/13.2-2 , IRFIZ44NPBF , LP2997MRX/NOPB , 1SS352 , H3F
제조업체：
ROHM Semiconductor
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET P-CH 30V 10A 8SOP
RoHS는：
YES
RRH100P03GZETB 사양
장착 유형：
Surface Mount
패키지/케이스：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지：
8-SOP
작동 온도：
150°C (TJ)
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대)：
±20V
FET 유형：
P-Channel
드레인-소스 전압(Vdss)：
30 V
Vgs(일)(최대) @ Id：
2.5V @ 1mA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
68 nC @ 10 V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
4V, 10V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
10A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
12.6mOhm @ 10A, 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
3600 pF @ 10 V
전력 소비(최대)：
650mW (Ta)
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