VT6K1T2CR
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6
VT6K1T2CR 사양
장착 유형：
Surface Mount
작동 온도：
150°C (TJ)
패키지/케이스：
6-SMD, Flat Leads
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구성：
2 N-Channel (Dual)
드레인-소스 전압(Vdss)：
20V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
3.5Ohm @ 100mA, 4.5V
FET 기능：
Logic Level Gate, 1.2V Drive
전력 - 최대：
120mW
Vgs(일)(최대) @ Id：
1V @ 100µA
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
100mA
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
7.1pF @ 10V
공급자 장치 패키지：
VMT6
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