C2M1000170D
SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3
부품 번호：
C2M1000170D
대체 모델：
MGJ2D121505SC , MGJ2D241505SC , MGJ2D051505SC , MGJ3T12150505MC-R7 , MGJ2D151505SC , MGJ3T24150505MC-R7 , MGJ3T05150505MC-R7 , MGJ3T12150505MC-R13 , MGJ3T24150505MC-R13 , MGJ3T05150505MC-R13 , C2M1000170J , G2R1000MT17D , SICW1000N170A-BP , IXTH2N170D2 , MSC750SMA170B , WA-T247-101E , DN2540N5-G , MSC750SMA170B4 , C3M0120065K , IXDN609SI , UF3C065030K3S , 2N2222A , BZT52C20TQ-7-F , ACNT-H79A-500E , UCC28C43QDRQ1
제조업체：
Wolfspeed
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
SICFET N-CH 1700V 4.9A TO247-3
RoHS는：
YES
C2M1000170D 사양
장착 유형：
Through Hole
FET 유형：
N-Channel
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지/케이스：
TO-247-3
공급자 장치 패키지：
TO-247-3
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
20V
기술：
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs(최대)：
+25V, -10V
Vgs(일)(최대) @ Id：
4V @ 500µA
전력 소비(최대)：
69W (Tc)
드레인-소스 전압(Vdss)：
1700 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
4.9A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
1.1Ohm @ 2A, 20V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
13 nC @ 20 V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
191 pF @ 1000 V
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빠른 가격 조회
제조업체 표준 납기：미정
표준 포장 수량：2269
수량
단가
국제 가격
1
12.51
12.51
30
9.99
299.7
120
8.93
1071.6
510
7.89
4023.9
1020
7.1
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