C2M0080120D
SICFET N-CH 1200V 36A TO247-3
부품 번호：
C2M0080120D
대체 모델：
C3M0065090D , C2M0040120D , C2M0025120D , SCT30N120 , E3M0075120D , C4D10120D , C4D02120E , SIL05-1A72-71D , C3M0120065D , C3M0025065L-TR , C3D10060A , FAN9673Q , C3M0016120K , DIP12-2A72-21L , G6S-2 DC3 , MGJ2D121505SC , MGJ2D241505SC , MGJ2D051505SC , MGJ3T12150505MC-R7 , MGJ2D151505SC , MGJ3T24150505MC-R7 , MGJ3T05150505MC-R7 , MGJ3T12150505MC-R13 , MGJ3T24150505MC-R13 , MGJ3T05150505MC-R13
제조업체：
Wolfspeed
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
SICFET N-CH 1200V 36A TO247-3
RoHS는：
YES
C2M0080120D 사양
장착 유형：
Through Hole
FET 유형：
N-Channel
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지/케이스：
TO-247-3
공급자 장치 패키지：
TO-247-3
드레인-소스 전압(Vdss)：
1200 V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
20V
기술：
SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs(최대)：
+25V, -10V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
36A (Tc)
Vgs(일)(최대) @ Id：
4V @ 5mA
전력 소비(최대)：
192W (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
98mOhm @ 20A, 20V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
62 nC @ 5 V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
950 pF @ 1000 V
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빠른 가격 조회
제조업체 표준 납기：미정
표준 포장 수량：3185
수량
단가
국제 가격
1
32.16
32.16
30
26.66
799.8
120
25
3000
510
21.33
10878.3
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