SQD25N06-22L_GE3
MOSFET N-CH 60V 25A TO252
부품 번호：
SQD25N06-22L_GE3
대체 모델：
LM2675MX-5.0/NOPB , SQD15N06-42L_GE3 , NVD5C684NLT4G , STD35NF06LT4 , STD20NF06LT4 , IPD30N06S4L23ATMA2 , SQD40N06-14L_GE3
제조업체：
Vishay / Siliconix
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET N-CH 60V 25A TO252
RoHS는：
YES
SQD25N06-22L_GE3 사양
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)：
60 V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
4.5V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
Vgs(일)(최대) @ Id：
2.5V @ 250µA
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
패키지/케이스：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지：
TO-252AA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
50 nC @ 10 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
25A (Tc)
전력 소비(최대)：
62W (Tc)
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
1975 pF @ 25 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
22mOhm @ 20A, 10V
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제조업체 표준 납기：미정
표준 포장 수량：5400
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단가
국제 가격
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