SIR410DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
부품 번호：
SIR410DP-T1-GE3
대체 모델：
HUF75329D3ST , MAX5954AETX+ , SKY65366-21 , 1N5819HW-7-F , NRF905 , 0455860005 , MAX2634AXT+T , 151031SS06000 , LTM4650AEY#PBF , 100R12-51B , LFCN-490+ , APP-001-15AMP , D2HW-BR201H , TPS76330DBVR , 151031VS04000
제조업체：
Vishay / Siliconix
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
RoHS는：
YES
SIR410DP-T1-GE3 사양
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
4.5V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(일)(최대) @ Id：
2.5V @ 250µA
드레인-소스 전압(Vdss)：
20 V
공급자 장치 패키지：
PowerPAK® SO-8
패키지/케이스：
PowerPAK® SO-8
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
35A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
4.8mOhm @ 20A, 10V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
41 nC @ 10 V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
1600 pF @ 10 V
전력 소비(최대)：
4.2W (Ta), 36W (Tc)
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제조업체 표준 납기：미정
표준 포장 수량：9236
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단가
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