SI7983DP-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO8
부품 번호：
SI7983DP-T1-GE3
제조업체：
Vishay / Siliconix
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
설명：
MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK SO8
RoHS는：
YES
SI7983DP-T1-GE3 사양
장착 유형：
Surface Mount
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
FET 기능：
Logic Level Gate
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
드레인-소스 전압(Vdss)：
20V
구성：
2 P-Channel (Dual)
전력 - 최대：
1.4W
패키지/케이스：
PowerPAK® SO-8 Dual
공급자 장치 패키지：
PowerPAK® SO-8 Dual
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
7.7A
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
17mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(일)(최대) @ Id：
1V @ 600µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
74nC @ 4.5V
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