SI7149DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
부품 번호：
SI7149DP-T1-GE3
대체 모델：
DLW21SN900SQ2L , SBRD10200 , NTMYS7D3N04CLTWG , SI7149ADP-T1-GE3 , NCV8413DTRKG , RSM200S-32.768-12.5-10PPM-NPB , MBT3904DW1T1H , SISA14DN-T1-GE3 , PESD5V0X1BCSFYL , QH8KA4TCR , TCR3DF40 , LM(CT , R-668127 , CSD17551Q5A , SML-LX0402SUGC-TR , QH8MA4TCR
제조업체：
Vishay / Siliconix
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK SO-8
RoHS는：
YES
SI7149DP-T1-GE3 사양
장착 유형：
Surface Mount
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
4.5V, 10V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(일)(최대) @ Id：
2.5V @ 250µA
FET 유형：
P-Channel
드레인-소스 전압(Vdss)：
30 V
Vgs(최대)：
±25V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
50A (Tc)
공급자 장치 패키지：
PowerPAK® SO-8
패키지/케이스：
PowerPAK® SO-8
전력 소비(최대)：
69W (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
5.2mOhm @ 15A, 10V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
147 nC @ 10 V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
4590 pF @ 15 V
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빠른 가격 조회
제조업체 표준 납기：미정
표준 포장 수량：27466
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단가
국제 가격
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