SI5857DU-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
부품 번호：
SI5857DU-T1-GE3
제조업체：
Vishay / Siliconix
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
RoHS는：
YES
SI5857DU-T1-GE3 사양
장착 유형：
Surface Mount
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET 유형：
P-Channel
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
2.5V, 4.5V
드레인-소스 전압(Vdss)：
20 V
Vgs(최대)：
±12V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
17 nC @ 10 V
Vgs(일)(최대) @ Id：
1.5V @ 250µA
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
6A (Tc)
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
480 pF @ 10 V
FET 기능：
Schottky Diode (Isolated)
패키지/케이스：
PowerPAK® ChipFET™ Single
공급자 장치 패키지：
PowerPAK® ChipFET™ Single
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
58mOhm @ 3.6A, 4.5V
전력 소비(최대)：
2.3W (Ta), 10.4W (Tc)
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