SI5513CDC-T1-E3
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8
부품 번호：
SI5513CDC-T1-E3
대체 모델：
SI5513CDC-T1-GE3 , SI5515CDC-T1-E3 , SI5515CDC-T1-GE3 , SI9945BDY-T1-GE3 , SI5504BDC-T1-GE3
제조업체：
Vishay / Siliconix
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
설명：
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8
RoHS는：
YES
SI5513CDC-T1-E3 사양
장착 유형：
Surface Mount
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구성：
N and P-Channel
FET 기능：
Logic Level Gate
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
드레인-소스 전압(Vdss)：
20V
Vgs(일)(최대) @ Id：
1.5V @ 250µA
공급자 장치 패키지：
1206-8 ChipFET™
전력 - 최대：
3.1W
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
55mOhm @ 4.3A, 4.5V
패키지/케이스：
8-SMD, Flat Leads
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
4A, 3.7A
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
285pF @ 10V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
4.2nC @ 5V
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표준 포장 수량：7500
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