SI4435DDY-T1-E3
MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
부품 번호：
SI4435DDY-T1-E3
대체 모델：
SI4435DDY-T1-GE3 , SI4925BDY-T1-E3 , 2SK3019TL , RSP-122811-01 , BSS223PWH6327XTSA1 , ZXMN3A14FTA , MPM3632CGQV-Z , SI4435DY , SI2318CDS-T1-GE3 , SI4435FDY-T1-GE3 , 430152050826 , 2N7002K-T1-GE3 , PESD15VS1UB , 115 , SI7461DP-T1-E3 , 1N4148WSQ-7-F
제조업체：
Vishay / Siliconix
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
RoHS는：
YES
SI4435DDY-T1-E3 사양
장착 유형：
Surface Mount
공급자 장치 패키지：
8-SOIC
패키지/케이스：
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
4.5V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET 유형：
P-Channel
드레인-소스 전압(Vdss)：
30 V
Vgs(일)(최대) @ Id：
3V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
50 nC @ 10 V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
1350 pF @ 15 V
전력 소비(최대)：
2.5W (Ta), 5W (Tc)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
11.4A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
24mOhm @ 9.1A, 10V
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제조업체 표준 납기：미정
표준 포장 수량：20915
수량
단가
국제 가격
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