SI3499DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP
부품 번호：
SI3499DV-T1-GE3
대체 모델：
STF203-33.TCT , PMV30UN2R , SI3499DV-T1-BE3 , REF2930AIDBZT , BAT54SW , 115 , SIA427DJ-T1-GE3 , IPD80P03P4L07ATMA2 , LTST-C190KGKT , SIA436DJ-T1-GE3 , SI1050X-T1-GE3 , SIA414DJ-T1-GE3 , SI3477DV-T1-GE3 , SI7114ADN-T1-GE3
제조업체：
Vishay / Siliconix
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET P-CH 8V 5.3A 6TSOP
RoHS는：
YES
SI3499DV-T1-GE3 사양
장착 유형：
Surface Mount
패키지/케이스：
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지：
6-TSOP
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET 유형：
P-Channel
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
1.5V, 4.5V
드레인-소스 전압(Vdss)：
8 V
전력 소비(최대)：
1.1W (Ta)
Vgs(최대)：
±5V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
42 nC @ 4.5 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
5.3A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
23mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(일)(최대) @ Id：
750mV @ 250µA
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표준 포장 수량：8169
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