SI3458BDV-T1-E3
MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
부품 번호：
SI3458BDV-T1-E3
대체 모델：
SI3458BDV-T1-GE3 , MP2307DN-LF-Z , MAX211ECAI+ , SI3458BDV-T1-BE3 , NDC7002N , FDC6318P , SN74LV574APWR
제조업체：
Vishay / Siliconix
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP
RoHS는：
YES
SI3458BDV-T1-E3 사양
장착 유형：
Surface Mount
패키지/케이스：
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지：
6-TSOP
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)：
60 V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
4.5V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(일)(최대) @ Id：
3V @ 250µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
11 nC @ 10 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
4.1A (Tc)
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
350 pF @ 30 V
전력 소비(최대)：
2W (Ta), 3.3W (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
100mOhm @ 3.2A, 10V
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단가
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