SI2337DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
부품 번호：
SI2337DS-T1-GE3
대체 모델：
SI2337DS-T1-E3 , SI2337DS-T1-BE3 , FC-135 32.7680K-60AA70KD0 , IPT012N08N5ATMA1 , SSM3J135TU , LF , SI2309CDS-T1-E3 , BSS131H6327XTSA1 , FMMT549ATA , AO3418 , IRLML0100TRPBF , BSS123-7-F , SI2387DS-T1-GE3 , SUM110P06-08L-E3 , 1825058-4 , TB67H450AFNG , EL
제조업체：
Vishay / Siliconix
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
RoHS는：
YES
SI2337DS-T1-GE3 사양
장착 유형：
Surface Mount
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
6V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
FET 유형：
P-Channel
패키지/케이스：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
작동 온도：
-50°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(일)(최대) @ Id：
4V @ 250µA
드레인-소스 전압(Vdss)：
80 V
공급자 장치 패키지：
SOT-23-3 (TO-236)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
17 nC @ 10 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
2.2A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
270mOhm @ 1.2A, 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
500 pF @ 40 V
전력 소비(최대)：
760mW (Ta), 2.5W (Tc)
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표준 포장 수량：6973
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