FDZ3N513ZT
MOSFET N-CH 30V 1.1A 4WLCSP
부품 번호：
FDZ3N513ZT
대체 모델：
SI8808DB-T2-E1
제조업체：
Sanyo Semiconductor/onsemi
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET N-CH 30V 1.1A 4WLCSP
RoHS는：
NO
FDZ3N513ZT 사양
장착 유형：
Surface Mount
작동 온도：
-55°C ~ 125°C (TJ)
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)：
30 V
Vgs(일)(최대) @ Id：
1.5V @ 250µA
FET 기능：
Schottky Diode (Body)
전력 소비(최대)：
1W (Ta)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
1 nC @ 4.5 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
1.1A (Ta)
패키지/케이스：
4-UFBGA, WLCSP
공급자 장치 패키지：
4-WLCSP (0.96x0.96)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
462mOhm @ 300mA, 4.5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
85 pF @ 15 V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
3.2V, 4.5V
Vgs(최대)：
+5.5V, -0.3V
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