SI3493BDV-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
부품 번호:
SI3493BDV-T1-GE3
대체 모델:
TS4148 RBG  ,  SI3493BDV-T1-E3  ,  MMBT2222ALT1G  ,  MC78L05ACDR2G  ,  PMN30XPAX  ,  MCP2518FDT-H/SL  ,  W25Q256JVFIQ  ,  TPS73733DCQR  ,  MMBT3904LT1G
제조업체:
Vishay / Siliconix
범주:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
설명:
MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
RoHS는:
YES
SI3493BDV-T1-GE3 사양
장착 유형:
Surface Mount
패키지/케이스:
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지:
6-TSOP
기술:
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET 유형:
P-Channel
드레인-소스 전압(Vdss):
20 V
Vgs(최대):
±8V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐):
1.8V, 4.5V
Vgs(일)(최대) @ Id:
900mV @ 250µA
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C:
8A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs:
27.5mOhm @ 7A, 4.5V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs:
43.5 nC @ 5 V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds:
1805 pF @ 10 V
전력 소비(최대):
2.08W (Ta), 2.97W (Tc)
빠른 가격 조회
제조업체 표준 납기:미정
표준 포장 수량:17035
수량
단가
국제 가격
3000
0.39
1170
6000
0.36
2160
9000
0.34
3060
30000
0.34
10200
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