SI3477DV-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
부품 번호：
SI3477DV-T1-GE3
대체 모델：
SI3473CDV-T1-GE3 , MIC29150-3.3WU-TR , SI3499DV-T1-GE3 , SI3429EDV-T1-GE3 , SSM3J338R , LF , HMHA2801AR2 , BU52092GWZ-E2 , 742792021
제조업체：
Vishay / Siliconix
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
RoHS는：
YES
SI3477DV-T1-GE3 사양
장착 유형：
Surface Mount
패키지/케이스：
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급자 장치 패키지：
6-TSOP
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대)：
±10V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET 유형：
P-Channel
드레인-소스 전압(Vdss)：
12 V
Vgs(일)(최대) @ Id：
1V @ 250µA
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
1.8V, 4.5V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
90 nC @ 10 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
8A (Tc)
전력 소비(최대)：
2W (Ta), 4.2W (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
17.5mOhm @ 9A, 4.5V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
2600 pF @ 6 V
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제조업체 표준 납기：미정
표준 포장 수량：30776
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단가
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