STB80N20M5
MOSFET N-CH 200V 61A D2PAK
부품 번호：
STB80N20M5
대체 모델：
SIR696DP-T1-GE3 , PSMN057-200B , 118 , MBR2H100SFT3G , STB75NF20 , ZWQ80-5223 , XC7S6-1FTGB196C , TMS320F28375SPTPT , IXTA86N20X4 , MBR8H100MFST1G
제조업체：
STMicroelectronics
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET N-CH 200V 61A D2PAK
RoHS는：
YES
STB80N20M5 사양
장착 유형：
Surface Mount
작동 온도：
150°C (TJ)
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
Vgs(일)(최대) @ Id：
5V @ 250µA
패키지/케이스：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지：
D2PAK
Vgs(최대)：
±25V
드레인-소스 전압(Vdss)：
200 V
전력 소비(최대)：
190W (Tc)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
104 nC @ 10 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
61A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
23mOhm @ 30.5A, 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
4329 pF @ 50 V
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제조업체 표준 납기：미정
표준 포장 수량：3487
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