IPP60R099C6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3
부품 번호：
IPP60R099C6XKSA1
대체 모델：
2EDN7524FXTMA1 , 2EDN7523FXTMA1 , STM32F103RCT7 , IPW60R099C6FKSA1 , IPT60R028G7XTMA1 , STP34NM60N , SBR60A300CT , IPB107N20N3GATMA1 , IPP60R099P7XKSA1 , IPP60R099CPXKSA1 , STP4NK80Z
제조업체：
IR (Infineon Technologies)
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-3
RoHS는：
YES
IPP60R099C6XKSA1 사양
장착 유형：
Through Hole
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대)：
±20V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지/케이스：
TO-220-3
드레인-소스 전압(Vdss)：
600 V
전력 소비(최대)：
278W (Tc)
공급자 장치 패키지：
PG-TO220-3
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
119 nC @ 10 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
37.9A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
99mOhm @ 18.1A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id：
3.5V @ 1.21mA
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
2660 pF @ 100 V
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표준 포장 수량：2496
수량
단가
국제 가격
1
6.77
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50
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