IPI076N12N3GAKSA1
MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
부품 번호：
IPI076N12N3GAKSA1
대체 모델：
IPI086N10N3GXKSA1 , SI2302DDS-T1-GE3 , IPP076N12N3GXKSA1 , 1ED44173N01BXTSA1 , IRS20752LTRPBF , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 2ED2184S06FXUMA1 , 2EDL23N06PJXUMA1 , 2ED2110S06MXUMA1
제조업체：
IR (Infineon Technologies)
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
RoHS는：
YES
IPI076N12N3GAKSA1 사양
장착 유형：
Through Hole
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대)：
±20V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
100A (Tc)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
패키지/케이스：
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
드레인-소스 전압(Vdss)：
120 V
공급자 장치 패키지：
PG-TO262-3
전력 소비(최대)：
188W (Tc)
Vgs(일)(최대) @ Id：
4V @ 130µA
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
101 nC @ 10 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
7.6mOhm @ 100A, 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
6640 pF @ 60 V
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빠른 가격 조회
제조업체 표준 납기：미정
표준 포장 수량：2098
수량
단가
국제 가격
1
3.61
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10
3.04
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