IPB70N10S3L12ATMA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
부품 번호：
IPB70N10S3L12ATMA1
대체 모델：
AUIR2085STR , TLE9180D31QKXUMA1 , AUIRB24427STR , STM32H745XIH6 , BUK7Y7R8-80EX , IPD30N10S3L34ATMA1 , BM02B-GHS-TBT , B2B-PH-SM4-TB , DMN3009SK3-13 , SZMMSZ5270BT1G , VS-3EGU06WHM3/5BT , NCP1117ST33T3G , MCS1806GS-5-50-Z , LTC3862HFE#PBF , LT3990EDD#TRPBF , V8PAM10S-M3/H , PMEG2005EGWX , V40DM60CHM3/I
제조업체：
IR (Infineon Technologies)
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
RoHS는：
YES
IPB70N10S3L12ATMA1 사양
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
4.5V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
드레인-소스 전압(Vdss)：
100 V
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
80 nC @ 10 V
패키지/케이스：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
전력 소비(최대)：
125W (Tc)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
70A (Tc)
공급자 장치 패키지：
PG-TO263-3-2
Vgs(일)(최대) @ Id：
2.4V @ 83µA
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
5550 pF @ 25 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
11.8mOhm @ 70A, 10V
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빠른 가격 조회
제조업체 표준 납기：미정
표준 포장 수량：21576
수량
단가
국제 가격
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