IPD70N10S3L12ATMA1
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
부품 번호：
IPD70N10S3L12ATMA1
대체 모델：
IPD50N10S3L16ATMA1 , MAX6504UKN025+T , DMP2045UQ-7 , DMT10H010LK3-13 , IPD35N10S3L26ATMA1 , IQS228B00000000TSR , TPSM5601R5HEXTRDAR , DMN6140LQ-7 , DDZX5V1BQ-7 , IPD60N10S4L12ATMA1 , GS12081-INE3 , TLV1805QDBVRQ1 , NCV1117ST33T3G , ADM2682EBRIZ , PDTC123ET , 215 , AUIR2085STR , TLE9180D31QKXUMA1 , AUIRB24427STR
제조업체：
IR (Infineon Technologies)
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
RoHS는：
YES
IPD70N10S3L12ATMA1 사양
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
4.5V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
드레인-소스 전압(Vdss)：
100 V
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
패키지/케이스：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
전력 소비(최대)：
125W (Tc)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
77 nC @ 10 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
70A (Tc)
공급자 장치 패키지：
PG-TO252-3-11
Vgs(일)(최대) @ Id：
2.4V @ 83µA
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
11.5mOhm @ 70A, 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
5550 pF @ 25 V
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