IPD35N10S3L26ATMA1
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31
부품 번호：
IPD35N10S3L26ATMA1
대체 모델：
AUIR2085STR , TLE9180D31QKXUMA1 , AUIRB24427STR , IPD30N10S3L34ATMA1 , 0430450200 , IPD50N10S3L16ATMA1 , IRFR540ZTRPBF , 36900000 , IRFR540ZTRLPBF , 13324-T086 , 0348302001 , 2035672007 , SUD50P10-43L-E3 , CHP-081TA , 1565749-1 , LT8333RDD#TRPBF , IPD35N10S3L26ATMA2 , IRFR3710ZTRPBF
제조업체：
IR (Infineon Technologies)
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-31
RoHS는：
YES
IPD35N10S3L26ATMA1 사양
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
4.5V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
드레인-소스 전압(Vdss)：
100 V
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
패키지/케이스：
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
39 nC @ 10 V
전력 소비(최대)：
71W (Tc)
공급자 장치 패키지：
PG-TO252-3-11
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
35A (Tc)
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
2700 pF @ 25 V
Vgs(일)(최대) @ Id：
2.4V @ 39µA
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
24mOhm @ 35A, 10V
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빠른 가격 조회
제조업체 표준 납기：미정
표준 포장 수량：3342
수량
단가
국제 가격
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