IPB200N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK
부품 번호:
IPB200N15N3GATMA1
대체 모델:
IPD200N15N3GATMA1  ,  BSC160N15NS5ATMA1  ,  IPB048N15N5ATMA1  ,  NVMTSC4D3N15MC  ,  BSC360N15NS3GATMA1  ,  IRFS4115TRLPBF  ,  IPB144N12N3GATMA1  ,  BSC190N15NS3GATMA1  ,  IPP200N15N3GXKSA1  ,  IRFS52N15DTRLP  ,  AOB2500L  ,  IRFS4615TRLPBF  ,  IPB200N25N3GATMA1  ,  IRFS4321TRLPBF  ,  BSC320N20NS3GATMA1  ,  1ED44173N01BXTSA1  ,  IRS20752LTRPBF  ,  IRS2011STRPBF  ,  6EDL04N02PRXUMA1  ,  IRS21271STRPBF  ,  IRS4427STRPBF  ,  2ED2184S06FXUMA1  ,  IRS2007STRPBF  ,  2ED2110S06MXUMA1
제조업체:
IR (Infineon Technologies)
범주:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
설명:
MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK
RoHS는:
YES
IPB200N15N3GATMA1 사양
장착 유형:
Surface Mount
FET 유형:
N-Channel
기술:
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대):
±20V
작동 온도:
-55°C ~ 175°C (TJ)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs:
31 nC @ 10 V
전력 소비(최대):
150W (Tc)
패키지/케이스:
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
드레인-소스 전압(Vdss):
150 V
공급자 장치 패키지:
PG-TO263-3
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐):
8V, 10V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C:
50A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs:
20mOhm @ 50A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id:
4V @ 90µA
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds:
1820 pF @ 75 V
빠른 가격 조회
제조업체 표준 납기:미정
표준 포장 수량:3344
수량
단가
국제 가격
1000
1.73
1730
2000
1.62
3240
5000
1.55
7750
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