IPB200N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK
부품 번호：
IPB200N15N3GATMA1
대체 모델：
IPD200N15N3GATMA1 , BSC160N15NS5ATMA1 , IPB048N15N5ATMA1 , NVMTSC4D3N15MC , BSC360N15NS3GATMA1 , IRFS4115TRLPBF , IPB144N12N3GATMA1 , BSC190N15NS3GATMA1 , IPP200N15N3GXKSA1 , IRFS52N15DTRLP , AOB2500L , IRFS4615TRLPBF , IPB200N25N3GATMA1 , IRFS4321TRLPBF , BSC320N20NS3GATMA1 , 1ED44173N01BXTSA1 , IRS20752LTRPBF , IRS2011STRPBF , 6EDL04N02PRXUMA1 , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 2ED2184S06FXUMA1 , IRS2007STRPBF , 2ED2110S06MXUMA1
제조업체：
IR (Infineon Technologies)
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK
RoHS는：
YES
IPB200N15N3GATMA1 사양
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(최대)：
±20V
작동 온도：
-55°C ~ 175°C (TJ)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
31 nC @ 10 V
전력 소비(최대)：
150W (Tc)
패키지/케이스：
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
드레인-소스 전압(Vdss)：
150 V
공급자 장치 패키지：
PG-TO263-3
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
8V, 10V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
50A (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
20mOhm @ 50A, 10V
Vgs(일)(최대) @ Id：
4V @ 90µA
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
1820 pF @ 75 V
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표준 포장 수량：3344
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단가
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