SI7818DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
부품 번호：
SI7818DN-T1-GE3
대체 모델：
SIA432DJ-T1-GE3 , RCLAMP0582BQTCT , DF1510S-T , FDC86244 , DF1510S , FQT1N60CTF-WS , SI7818DN-T1-E3 , TPN5900CNH , L1Q , ADR01BRZ , FDMC86248 , BSZ900N15NS3GATMA1
제조업체：
Vishay / Siliconix
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
RoHS는：
YES
SI7818DN-T1-GE3 사양
장착 유형：
Surface Mount
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
6V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
전력 소비(최대)：
1.5W (Ta)
Vgs(일)(최대) @ Id：
4V @ 250µA
공급자 장치 패키지：
PowerPAK® 1212-8
패키지/케이스：
PowerPAK® 1212-8
드레인-소스 전압(Vdss)：
150 V
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
30 nC @ 10 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
2.2A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
135mOhm @ 3.4A, 10V
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빠른 가격 조회
제조업체 표준 납기：미정
표준 포장 수량：7294
수량
단가
국제 가격
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