SI7465DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
부품 번호：
SI7465DP-T1-GE3
대체 모델：
TCMT1116 , BSC030P03NS3GAUMA1 , ASMT-RJ45-AQ502 , SI7415DN-T1-GE3 , IRM-20-12 , BCV28 , 115 , VLMTG1300-GS08 , PJQ5427_R2_00001 , 744273801 , TDA04H0SB1 , SI7220DN-T1-GE3 , 180-M44-113R911 , VLMY1300-GS08 , NTMFS005P03P8ZT1G , SI7465DP-T1-E3
제조업체：
Vishay / Siliconix
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
RoHS는：
YES
SI7465DP-T1-GE3 사양
장착 유형：
Surface Mount
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압(Vdss)：
60 V
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
4.5V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET 유형：
P-Channel
전력 소비(최대)：
1.5W (Ta)
Vgs(일)(최대) @ Id：
3V @ 250µA
공급자 장치 패키지：
PowerPAK® SO-8
패키지/케이스：
PowerPAK® SO-8
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
40 nC @ 10 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
3.2A (Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
64mOhm @ 5A, 10V
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