SI7220DN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212
부품 번호：
SI7220DN-T1-GE3
대체 모델：
SI7465DP-T1-GE3 , KDZVTR3.3B , SI2301CDS-T1-BE3 , PDS3100-13 , SI7232DN-T1-GE3 , BUK9M24-40EX , LTC2870IUFD#PBF , HFCN-1500D+ , 150060VS75000 , BAT54HT1G , SQS944ENW-T1_GE3 , 150060RS75000 , 1N5711WS-7-F , MAX3232CSE+ , SI3404-A-GM
제조업체：
Vishay / Siliconix
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
설명：
MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212
RoHS는：
YES
SI7220DN-T1-GE3 사양
장착 유형：
Surface Mount
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
FET 기능：
Logic Level Gate
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs(일)(최대) @ Id：
3V @ 250µA
구성：
2 N-Channel (Dual)
드레인-소스 전압(Vdss)：
60V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
3.4A
전력 - 최대：
1.3W
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
20nC @ 10V
패키지/케이스：
PowerPAK® 1212-8 Dual
공급자 장치 패키지：
PowerPAK® 1212-8 Dual
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
60mOhm @ 4.8A, 10V
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