SI2323DS-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
부품 번호：
SI2323DS-T1-GE3
대체 모델：
SI2323DS-T1-E3 , NRVBAF3200T3G , SI2323DS-T1-BE3 , BM28B0.6-30DS/2-0.35V(53) , 474108-E , SI2323DDS-T1-GE3 , LP2998MRE/NOPB , PI4ULS3V204ZBEX , PIC16F15213-I/SN , FTSH-106-01-L-DV-K-A-P , MBRM120ET3G , LDK120M33R , PMEG10010ELRX , LM2705MFX-ADJ/NOPB , LTC3525ISC6-3.3#TRMPBF
제조업체：
Vishay / Siliconix
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23-3
RoHS는：
YES
SI2323DS-T1-GE3 사양
장착 유형：
Surface Mount
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET 유형：
P-Channel
패키지/케이스：
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
드레인-소스 전압(Vdss)：
20 V
Vgs(최대)：
±8V
Vgs(일)(최대) @ Id：
1V @ 250µA
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
1.8V, 4.5V
공급자 장치 패키지：
SOT-23-3 (TO-236)
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
3.7A (Ta)
전력 소비(최대)：
750mW (Ta)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
19 nC @ 4.5 V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
1020 pF @ 10 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
39mOhm @ 4.7A, 4.5V
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빠른 가격 조회
제조업체 표준 납기：미정
표준 포장 수량：22615
수량
단가
국제 가격
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