SI2304BDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
부품 번호:
SI2304BDS-T1-GE3
대체 모델:
SL54-TP  ,  1051330011  ,  PDTC123JT  ,  215  ,  SI2305CDS-T1-GE3  ,  20021121-00006C4LF  ,  10029449-111RLF  ,  SPHV15-01ETG-C  ,  95278-101A14LF  ,  IRF5305STRLPBF  ,  B2B-XH-A  ,  SI2304BDS-T1-E3  ,  SBR02M30LP-7  ,  GF1J  ,  ACS714LLCTR-20A-T  ,  74AHC125PW  ,  118
제조업체:
Vishay / Siliconix
범주:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
설명:
MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT23-3
RoHS는:
YES
SI2304BDS-T1-GE3 사양
장착 유형:
Surface Mount
FET 유형:
N-Channel
기술:
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐):
4.5V, 10V
Vgs(최대):
±20V
작동 온도:
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지/케이스:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
드레인-소스 전압(Vdss):
30 V
Vgs(일)(최대) @ Id:
3V @ 250µA
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C:
2.6A (Ta)
공급자 장치 패키지:
SOT-23-3 (TO-236)
전력 소비(최대):
750mW (Ta)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs:
4 nC @ 5 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs:
70mOhm @ 2.5A, 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds:
225 pF @ 15 V
빠른 가격 조회
제조업체 표준 납기:미정
표준 포장 수량:96547
수량
단가
국제 가격
3000
0.13
390
6000
0.13
780
9000
0.12
1080
30000
0.11
3300
75000
0.11
8250
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