SIA421DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
부품 번호：
SIA421DJ-T1-GE3
대체 모델：
SN74HCS125BQAR , MAX25240AFFD/VY+ , SIA483DJ-T1-GE3 , SN65MLVD047APW , QLS6A-FKW-CNSNSF043 , RCLAMP0531TQTCT , SIA469DJ-T1-GE3 , LT8334RDE#PBF , SIAA40DJ-T1-GE3 , HX6096NLT , PMEG3020CPA , 115 , ROE-0505S , CT05-3050-J1 , MAX77962EWJ06+T , 0878311620
제조업체：
Vishay / Siliconix
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
RoHS는：
YES
SIA421DJ-T1-GE3 사양
장착 유형：
Surface Mount
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
4.5V, 10V
Vgs(최대)：
±20V
작동 온도：
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET 유형：
P-Channel
드레인-소스 전압(Vdss)：
30 V
Vgs(일)(최대) @ Id：
3V @ 250µA
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
12A (Tc)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
29 nC @ 10 V
패키지/케이스：
PowerPAK® SC-70-6
전력 소비(최대)：
3.5W (Ta), 19W (Tc)
공급자 장치 패키지：
PowerPAK® SC-70-6
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
950 pF @ 15 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
35mOhm @ 5.3A, 10V
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