SI7135DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
부품 번호:
SI7135DP-T1-GE3
대체 모델:
LTC3787EGN#TRPBF  ,  RS1E240GNTB  ,  LTC4000EUFD#PBF  ,  IRFH9310TRPBF  ,  BSS138DW-7-F  ,  SML-LX0603SIW-TR  ,  SI7272DP-T1-GE3  ,  RS1E200GNTB  ,  FDC6333C  ,  LTC3789EGN#PBF  ,  LTST-C190KGKT  ,  RS3E135BNGZETB  ,  NDS0605  ,  DMP3099L-13  ,  SI7149ADP-T1-GE3
제조업체:
Vishay / Siliconix
범주:
Discrete Semiconductor Products > Transistors > FETs, MOSFETs > Single FETs, MOSFETs >
설명:
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
RoHS는:
YES
SI7135DP-T1-GE3 사양
장착 유형:
Surface Mount
기술:
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐):
4.5V, 10V
Vgs(최대):
±20V
작동 온도:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET 유형:
P-Channel
드레인-소스 전압(Vdss):
30 V
Vgs(일)(최대) @ Id:
3V @ 250µA
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C:
60A (Tc)
공급자 장치 패키지:
PowerPAK® SO-8
패키지/케이스:
PowerPAK® SO-8
전력 소비(최대):
6.25W (Ta), 104W (Tc)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs:
250 nC @ 10 V
Rds On(최대) @ Id, Vgs:
3.9mOhm @ 20A, 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds:
8650 pF @ 15 V
빠른 가격 조회
제조업체 표준 납기:미정
표준 포장 수량:5094
수량
단가
국제 가격
3000
1.07
3210
6000
1.02
6120
9000
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