IRFB4227PBF
MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
부품 번호：
IRFB4227PBF
대체 모델：
1ED44173N01BXTSA1 , IRS20752LTRPBF , 6EDL04N02PRXUMA1 , IRS21271STRPBF , IRS4427STRPBF , 2ED2184S06FXUMA1 , 2EDL23N06PJXUMA1 , 2ED2110S06MXUMA1 , IRFB4127PBF , IXTP86N20T , IRFB4227PBFXKMA1 , IPP200N15N3GXKSA1 , IRFB4020PBF , IRFP4227PBF , IRS20957STRPBF , BC846BPDW1T1G , C3D08060A , IRFB4115PBF , MMBT2222ALT1G , ATMEGA328P-AU , IR2156STRPBF , UCC2893PWR , IRF5210PBF
제조업체：
IR (Infineon Technologies)
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
Single FETs, MOSFETs >
설명：
MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
RoHS는：
YES
IRFB4227PBF 사양
장착 유형：
Through Hole
작동 온도：
-40°C ~ 175°C (TJ)
FET 유형：
N-Channel
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
구동 전압(최대 Rds 켜짐, 최소 Rds 켜짐)：
10V
공급자 장치 패키지：
TO-220AB
패키지/케이스：
TO-220-3
Vgs(최대)：
±30V
Vgs(일)(최대) @ Id：
5V @ 250µA
드레인-소스 전압(Vdss)：
200 V
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
65A (Tc)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
98 nC @ 10 V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
4600 pF @ 25 V
전력 소비(최대)：
330W (Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
24mOhm @ 46A, 10V
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빠른 가격 조회
제조업체 표준 납기：미정
표준 포장 수량：6669
수량
단가
국제 가격
1
3.58
3.58
50
2.84
142
100
2.43
243
500
2.16
1080
1000
1.85
1850
2000
1.74
3480
5000
1.67
8350
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