APTM100H80FT1G
MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
부품 번호：
APTM100H80FT1G
제조업체：
Microsemi Corporation
범주：
Discrete Semiconductor Products >
Transistors >
FETs, MOSFETs >
FET, MOSFET Arrays >
설명：
MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
RoHS는：
NO
APTM100H80FT1G 사양
장착 유형：
Chassis Mount
작동 온도：
-40°C ~ 150°C (TJ)
기술：
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(일)(최대) @ Id：
5V @ 1mA
구성：
4 N-Channel (Full Bridge)
게이트 충전(Qg)(최대) @ Vgs：
150nC @ 10V
패키지/케이스：
SP1
공급자 장치 패키지：
SP1
전류 - 연속 배수(Id) @ 25°C：
11A
드레인-소스 전압(Vdss)：
1000V (1kV)
전력 - 최대：
208W
Rds On(최대) @ Id, Vgs：
960mOhm @ 9A, 10V
입력 커패시턴스(Ciss)(최대) @ Vds：
3876pF @ 25V
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